晶間腐蝕試驗是對其腐蝕進行一定的檢測，而奧氏體不銹鋼又是我們常見的材料之一，因此對于它的檢測肯定是少不了的，所以為了方便大家的了解，接下來就其實驗的詳細操作進行介紹。
　　晶間腐蝕：局部腐蝕的一種，沿著金屬晶粒間的分界面向內部擴展的腐蝕。

　　要求不銹鋼的耐腐蝕能力的需要是鉻的質量分數12%要多，當溫度升高，特別是在450℃～800℃時，碳在不銹鋼晶粒內部的擴散速度大于鉻的擴散速度，室溫時，碳在奧氏體中的熔解度很小，約為0.02%～0.03%，一般奧氏體不銹鋼中的碳含量均超過此值，故溶解不了多余的碳就不斷地向奧氏體晶粒邊界擴散，并和鉻化合，在晶間形成碳和鉻的化合物，如Cr23C6等。而鉻的擴散速度較小，來不及向晶界擴散，所以在晶間腐蝕試驗中，所形成的碳化鉻所需的鉻主要不是來自奧氏體晶粒內部，而是來自晶界附近，結果就使晶界附近的含鉻量大為減少，當晶界附近的鉻的質量分數低到小于12%時，就形成相對的“貧鉻區”，“貧鉻區”電位下降，而晶粒本身仍維持高電位，晶粒與“貧鉻區”之間存在著一定的電位差，而在試驗里，介質中晶界的溶解速度和晶粒本身的溶解速度是不同的，晶界的溶解速度遠大于晶粒本身的溶解速度，“貧鉻區”作為陽及與晶粒構成大陰及小陽及的微電偶電池，造成“貧鉻區”的選擇性局部腐蝕，也就是晶間腐蝕。

　　晶間腐蝕發生后，金屬雖然表面仍保持一定的金屬光澤，也看不出被破壞的跡象，但晶粒間的結合力已顯著減弱，強度下降，冷彎后表面出現裂縫，零件容易遭到破壞。晶間腐蝕隱蔽性強，突發性破壞幾率大，因此有嚴重的危害性，尤其在焊接時，焊縫附近的熱影響區更容易發生晶間腐蝕。
　　以晶間腐蝕為起源，在應力和腐蝕介質的共同作用下，可使不銹鋼由晶間腐蝕轉變為應力腐蝕開裂。那么我們在進行晶間腐蝕試驗的時候，就需要通過材料的性能以及使用上，進行系統的了解和分析。